집적회로(IC) 기술의 세계 최강자 인텔이 대만과 협력해 초고속 연산과 절전 능력을 가진 차세대 메모리 장치를 개발하기로 했다.
저스틴 래트너 인텔 부총재 겸 CTO는최근 타이베이(臺北)에서 열린 기자회견에서 “대만 공업기술연구원(ITRI)과 협력해 앞으로 5년 내에 새로운 메모리 장비를 개발하기로 합의했다”고 밝혔다. 이번 합의에 따라 인텔과 ITRI, 대만 경제부는 각각 500만 달러씩 총 1,500만 달러를 투입해 5년간 공동연구를 수행하게 된다.
저스틴 래트너(오른쪽) 인텔 부총재 겸 CTO와 우밍지(가운데) 대만 경제부 산업기술국 국장, 우청원 대만공업기술연구원 정보통신연구소 소장이 6일 타이페이에서 차세대 메모리 구조공동개발을 위한 협정에 서명하고 있다. ⓒ대한뉴스
래트너 부총재는 “양측의 공동연구는 초고속 연산 능력을 가진 절전형 메모리 구조를 개발하는데 그 목적이 있다”고 밝혔다. 그는 또 “이 메모리 장비가 태블릿PC와 평판 컴퓨터, 스마트폰 등 이동식 장비와 함께 100만 기가급 메모리 및 초대형 클라우드 메모리 센터에 활용될 수 있을 것”이라고 전망했다.
우청원(吳誠文) ITRI 정보통신연구소 소장은 “이번 연구는 20나노나 10나노와 같은 단순한 제조기술이 아니라 메모리의 새로운 구조를 개발하는데 있다”고 밝혔다. 그는 “이번 연구를 통해 개발된 메모리는 DRAM과 Flash에도 모두 적용할 수 있는 신기술이 될 것”이라고 설명했다.
우 소장은 이번 공동연구와 관련, ITRI는 지금까지 1년 이상 3차원 IC를 개발하는데 초점을 맞추어 왔다고 말했다. 그는 “3차원 IC 개발의 목적은 연산속도를 희생하지 않으면서 전자부품을 단일 회로에 집적함으로써 하드웨어를 최소화하는 방법을 찾는데 있다”고 밝혔다.
그는 “이 연구를 통해 인텔은 마이크로프로세서의 크기를 줄일 수 있으며, 대만도 이 방법을 이용해 보다 얇고 가벼움을 추구하는 소비자 가전시장의 추세에 부응할 수 있을 것”이라고 말했다.
그는 “공동연구 기간은 5년이지만 대만 칩 메이커들이 참여함으로써 앞으로 1~2년 안에 제품설계와 시제품 생산단계로 진입할 수 있을 것”이라고 전망했다.
이번 인텔과 ITRI의 협력은 비즈니스 협력이 아닌 공동 기술개발에 목적을 두고 있다. 인텔이 ITRI를 협력 파트너로 택한 것은 대만이 반도체 분야에서 완벽한 전후방 산업연결고리를 갖고 있기 때문이다.
우청원 소장은 “대만은 이번 연구를 위해 대규모 설비투자를 할 필요가 없으며, 현재 보유한 제조 프로세스로도 개발이 가능하다”고 밝혔다.
서기수 기자
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