하이닉스반도체(대표 김종갑(金鍾甲), www.hynix.co.kr)는 지난해 중장기 마스터플랜에서 2012년까지 ‘Global R&D No.1’으로 도약한다는 목표와 구체적 확보방안을 수립한 후 R&D 인프라 강화, 글로벌 협력 체제 구축, 연구인력 확보를 중점적으로 추진한다.
하이닉스는 이와 같은 2007년도의 R&D 성과를 기반으로 2008년에는 수익성 1위를 탈환하기 위해 R&D 역량을 더욱 강화하여 최고 수준의 경쟁력 있는 기술개발에 집중할 것이라고 10일 밝혔다.
하이닉스는 기술경쟁력에서 우위를 확보하기 위해 D램의 경우, 신규 기술이 전개될 때마다 웨이퍼 1장에서 생산 가능한 칩수(Net Die)를 45% 이상 증가시키고, 공정기술 개발기간도 1분기 이상 단축시킬 예정이다. 또한 신제품의 공정증가율을 최소화하고, 54나노 1Gb DDR2 제품을 이르면 2분기에 개발하여 3분기부터 양산하고, 44나노 1Gb DDR3 제품도 금년에 개발에 착수하여 내년 상반기에 완료할 계획이라고 덧붙였다.
서기수 기자
OFF Line 내외대한뉴스 등록일자 1996년 12월4일(등록번호 문화가00164) 대한뉴스 등록일자 2003년 10월 24일 (등록번호:서울다07265) 일간대한뉴스 On Line 등록일자 2005년 9월6일 (등록번호 :서울아00037호)On-Off Line을 모두 겸비한 종합 매체입니다
저작권자 © 대한뉴스 무단전재 및 재배포 금지
